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关于MOSD?-FET击穿问题

菜鸟
2008-04-16 17:43:01
做12V-15V的升压电路时,带约100W的负载时电压就提不上去了,加大导通时间(频率不变)及更改线圈的电感值均未能奏效,如何解决?另外,用80A75V的MOSFET做开关管常会D-S极间击穿,是何故?
关键词: 升压电路, MOSFET  
工程师
2008-04-16 17:47:10
1楼

MOS-FET驱动应加使其导通Vp,还要加使其可靠截止的Vp,这样驱动脉冲才是标准的。尤其用大电流,低电压的MOS时更应如此。你使MOS工作在AB类或者A类就会烧管子。另外,单纯从提高DC/DC电路带负载能力来讲,需要增加器件输出功率容量,特别是MOSFET、变压器、快恢复二极管等。热设计也很重要,否则可能影响整个电源系统可靠性。

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