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  问题: DS18B20 仿真DQ一直为低电平 读写也存在问题 求助求助   悬赏20分
用的是51单片机
//延时
void DelayUs2x(unsigned char t)
{
while(--t);
}


void DelayMs(unsigned char t)
{

while(t--)
{
//大致延时1mS
DelayUs2x(245);
DelayUs2x(245);
}
}


//DS18B20.c


bit Init_DS18B20(void)
{
bit dat=1;
DQ = 0; //DQ复位
DelayUs2x(5); //稍做延时
DQ = 1; //单片机将DQ拉低
DelayUs2x(200); //精确延时 大于 480us 小于960us
DelayUs2x(200);
DQ = 1; //拉高总线
DelayUs2x(50); //15~60us 后 接收60-240us的存在脉冲
DQ=1;
dat=DQ; //如果x=0则初始化成功, x=1则初始化失败
DelayUs2x(25);
//稍作延时返回
return dat;
}
/*------------------------------------------------
写入一个字节
------------------------------------------------*/
void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=8; i0; i--)
{
DQ = 0;
DQ = dat&0x01;
DelayUs2x(25);
DQ = 1;
dat=1;
}
DelayUs2x(25);
}
/*------------------------------------------------
读取一个字节
------------------------------------------------*/
unsigned char ReadOneChar(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat = 0;
for (i=8;i0;i--)
{
DQ = 0;
_nop_();
DQ=1; // 给脉冲信号
dat=1;
DQ = 1; // 给脉冲信号
if(DQ)
dat|=0x80;
DQ=1;
DelayUs2x(25);
}
return(dat);
}


/*------------------------------------------------
读取温度
------------------------------------------------*/
unsigned int ReadTemperature(void)
{
unsigned char a=0;
unsigned int b=0;
unsigned int t=0;
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0x44); // 启动温度转换
DelayMs(10);
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); //跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0xBE); //读取温度寄存器等(共可读9个寄存器) 前两个就是温度
a=ReadOneChar(); //低位
b=ReadOneChar(); //高位

b

关键词: 51单片机, 单片机     提问人: 明上LJC   时间:2017-10-30 21:21    
 

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