EEPW论坛

用的是51单片机 //延时 void DelayUs2x(unsigned char t) { while(--t); } void DelayMs(unsigned char t) { while(t--) { //大致延时1mS DelayUs2x(245); DelayUs2x(245); } } //DS18B20.c bit Init_DS18B20(void) { bit dat=1; DQ = 0; //DQ复位 DelayUs2x(5); //稍做延时 DQ = 1; //单片机将DQ拉低 DelayUs2x(200); //精确延时 大于 480us 小于960us DelayUs2x(200); DQ = 1; //拉高总线 DelayUs2x(50); //15~60us 后 接收60-240us的存在脉冲 DQ=1; dat=DQ; //如果x=0则初始化成功, x=1则初始化失败 DelayUs2x(25); //稍作延时返回 return dat; } /*------------------------------------------------ 写入一个字节 ------------------------------------------------*/ void WriteOneChar(unsigned char dat) { unsigned char i=0; for (i=8; i0; i--) { DQ = 0; DQ = dat&0x01; DelayUs2x(25); DQ = 1; dat=1; } DelayUs2x(25); } /*------------------------------------------------ 读取一个字节 ------------------------------------------------*/ unsigned char ReadOneChar(void) { unsigned char i=0; unsigned char dat = 0; for (i=8;i0;i--) { DQ = 0; _nop_(); DQ=1; // 给脉冲信号 dat=1; DQ = 1; // 给脉冲信号 if(DQ) dat|=0x80; DQ=1; DelayUs2x(25); } return(dat); } /*------------------------------------------------ 读取温度 ------------------------------------------------*/ unsigned int ReadTemperature(void) { unsigned char a=0; unsigned int b=0; unsigned int t=0; Init_DS18B20(); WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作 WriteOneChar(0x44); // 启动温度转换 DelayMs(10); Init_DS18B20(); WriteOneChar(0xCC); //跳过读序号列号的操作 WriteOneChar(0xBE); //读取温度寄存器等（共可读9个寄存器） 前两个就是温度 a=ReadOneChar(); //低位 b=ReadOneChar(); //高位 b