请教一下各位老师，反激同步整流是否可以直接用初级侧控制芯片的PWM驱动信号，经过隔离和反向后驱动副边MOS管。我现在做了一款100W的反激，用初级侧控制芯片驱动，经过数字隔离芯片隔离反向后驱动输出MOS，死区时间也调了，遇到的问题是电源工作在CCM模式时没有问题，进入DCM模式后就会震荡，空载振荡最严重，电压环路和电流环路都调整了也没有多大效果，空载损耗有10W左右。麻烦老师们帮忙分析一下，谢谢！
DCM模式下还用互补的方式驱动的话，输出就会倒灌。一般同步整流芯片，会检测MOS两端电压，低于某个值时就要关闭驱动了。
厉害
QDCM冲击大
学习了
江苏 南京
